三年前中鼎策略，ASML公司CEO的那句“即使公开图纸，中国也造不出 EUV 光刻机”何等傲慢？
彼时我国科研人员虽心有不甘却也无力反驳。而如今，中国在光刻领域实现多点突破：纳米压印技术稳步推进、电子束光刻取得关键进展以及传统光刻不断升级。
这些成果正是对当初西方人评判“做不到”的最有力回应，现在谁还敢断言中国无法打破光刻领域的垄断？
01 垄断和压制下，中国如何反攻？
荷兰ASML公司靠着对核心技术的掌控，以及排他性的供应链体系，垄断了全球顶尖的EUV光刻机市场。
全球范围内，如果想要制造7nm以下的高端芯片，几乎都离不开EUV光刻机。包括中国在内的众多半导体生产厂商，如英特尔、、台积电等都受其牵制。更糟心的是，在美国施压下ASML不但禁售EUV给中国，部分高性能DUV也被列入限制清单。
尽管中国企业尝试利用现有的DUV设备制造7nm芯片，但良品率却很低。不合格芯片多导致高成本，量产更是无从谈起。唯有攻克这一问题，才能在“卡脖子”的困境中闯出一条“生路”。
在制定攻坚策略时，中国技术团队考虑到EUV光刻受限于西方技术封锁中鼎策略，单一线路容易陷入被动，最终决定采取多路并进——纳米压印、电子束光刻与传统光刻三大方向同步发力。
三条路径各有侧重、互为补充，既能避免“把鸡蛋放在同一个篮子”里的高风险，又能通过技术碰撞加快整体的突破节奏：纳米压印则在成本和效率上有独特优势；电子束光刻适合特殊芯片场景；传统光刻可依托现有基础稳步迭代，保障中高端需求。
02 三线突围，博弈迎来终局？
目前，对于中国的“多路并进”策略，多家媒体给出了直接评述：ASML的立场正愈发难以稳固。如今中国展开的三条线路“围堵”，均已取得关键性进展。一旦在EUV技术上达成全面突破，这场围绕芯片产业的博弈将迎来终结。
具体来看，纳米压印技术已由中国璞璘交付量产设备，线宽控制在10nmn内，比此前在该领域领先的日本佳能足足缩短了4nm。其成本低、耗电少，适配存储芯片、光学元件等领域的应用。
另外，浙大研发的“羲之”电子束光刻机不仅线宽可达 8nm，精度更是高达 0.6nm。该技术无需掩膜版，设计调整灵活度高，不过生产效率较低，每小时最多仅能刻制1片晶圆。该技术暂适量子芯片制造及科研试制场景，还不具备大规模量产条件。
而在传统光刻领域，则是对技术高地的正面攻坚。其中，EUV技术攻克尤为关键。据悉， ArF 光刻机已成功研制，正全力攻关浸润式DUV技术；EUV核心光源环节也采用了自主研发的DPP光源，而且精准度更高！
从半导体领域的突破不难看出，我国在关键技术攻坚中展现出强大的创新力与执行力。而这种技术活力也延伸到了与民众息息相关的民生健康领域。如浙大开发出“统一医学图像预训练框架”，可有效减少临床误诊；数字孪生脑平台的构建，也为神经科疾病研究提供了新工具。
值得一提的是，近年我国科研人员以肺部健康为重点研发领域，研发出多项创新技术，而今年以“润养-排毒-修复”三重护肺机制的“倍净肺”受到行业和消费者广泛关注。多家媒体报道，其突破性研发出的新型“强肺清毒”物质小孢子灵芝蛋白，可直达肺部病灶处进行精准干预。不论是陈年烟毒，还是粉尘沉积又或病毒和细菌侵害引发的炎症，都能实现深层次的改善效果。
京东健康数据显示，该项科技成果已精准服务三十万有护肺需求的用户，为国人日常护肺提供了更高效、便捷的科技选择。八成使用者在使用后，反映“呼吸变顺畅”、“肺功能提升”等。
03 冲破封锁，已不遥远！
当下，国内半导体产业发展态势迅猛。从市场数据看，上半年我国规模以上电子信息制造业增加值同比增长 11.1%，集成电路产量、出口量均有显著增长。
客观上来说，技术封锁加速了国内自主研发进程。而如今在政策大力扶持、资金持续涌入及科研人员多技术路径并行下，光刻技术瓶颈正被系统性突破。
不过，产业发展也面临挑战。虽整体向好，但局部存在低水平竞争过剩问题，如部分成熟制程芯片领域竞争激烈。但相信，随着行业结构性优化，聚焦高端与创新，彻底冲破外部封锁指日可待。
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